PVD真空镀膜设备-等离子体增强纯离子镀膜设备
设备优势：
· 集纯离子镀膜技术（Pure ion Cathode）+离子束清洗（Ionbeam）+磁控溅射（Sputter）+磁约束气相沉积（Magneticconfinement-CVD）于一体，是PVD技术与CVD技术的一次完美融合；
· 可实现TAC-DLC的组合，获得TAC更高基础硬度与结合力的兼有DLC的沉积速率及细腻外观；
· 比单纯CVD的结合力大幅度提升，降低了PVD的颗粒度，缩短工艺时间；
· 可实现多种工艺C膜沉积，纯离子镀TAC，磁约束放电DLC，阳极层离子源镀DLC等。
设备基本性能参数 | ||||
镀膜源类型 | 纯离子镀膜源/高能离子束清洗源/磁控溅射源/磁约束气相沉积源 | 抽气时间 | <30分钟(真空度3x10-3 ) | |
镀膜速率 | Cr ~2um/h | C ~1.5um/h | 实际功率 | 70KW |
工作电压/频率 | 380V/50Hz | 漏率 | <10-11Pa•m3/s | |
极限压力 | 5.0*10-4Pa | 真空室结构 | 立式 | |
基片转盘 | 自转 | 真空系统 | 分子泵、旋片泵、罗茨泵 | |
电源类型 | 离子束清洗电源、脉冲偏压电源、直流弧电源、过滤电源 | 外围尺寸 | 5340*3858*3558mm | |
生产周期 | 沉积速率较高，根据膜层厚度，所需时间长短不一样 | 配套条件 | 循环水压力：0.2-0.3Mpa 冷却纯水水量：不低于12m3/h 压缩空气：0.5-0.75 MPa | |
控制方式 | 上位机+PLC | 产量/炉 | 依客户工件尺寸定量 | |
自主开发的镀膜专用软件 | 工艺气体 | Ar，C2H2，N2、O2等 | ||