PVD真空镀膜-纯离子镀膜设备
设备优势：
· 电磁过滤系统可过滤掉大颗粒离子团和原子团，膜层致密、粘附性好；
· 电磁扫描系统，可定点定时控制等离子体的束流方向，极大改善涂层均匀性，整炉膜层均匀性控制±5%以内；
· 可镀涂层厚度范围广：可镀100nm-28μm的超级类金刚石Ta-C膜层。
设备基本性能参数 | |||
参数 | PIS624/PIS622 | PIS412/PIS422 | PIS212/PIS213 |
镀膜源类型 | 阳极层线性离子源、磁控溅射源、纯离子镀膜源 | ||
极限真空/漏率 | 5×10-4Pa / <10-11Pa•m3/s | ||
抽气速率 | < 30分钟(真空度3x10-3 Pa，空载) | ||
真空室尺寸 | Φ1200*1000 | Φ1000*900 | Φ800*750 |
均匀性 | ±5% | ||
可选配套电源 | 直流、脉冲直流、中频、射频、高功率脉冲等 | ||
工艺气体 | Ar ，C2H2，N2、O2等 | ||
靶材匹配 | 石墨靶、Cr、Ti、Ni、Cu、Ta、Zr、W等金属单质或合金靶 | ||
真空系统 | 机械泵+罗茨泵+分子泵 | ||
控制方式 | PLC+上位机 | ||
设备功率 | 70KW | 50KW | 30KW |
配套要求 | 循环水压力：0.3-0.4MPa，压缩空气：0.5-0.75MPa | ||