安徽纯源镀膜——PISC系列等离子体增强纯离子镀膜设备
设备优势：
Ø集纯离子镀膜技术（Pureion Cathode）+ 离子束清洗（Ionbeam）+磁控溅射（Sputter）+磁约束气相沉积（Magneticconfinement-CVD）于一体，是PVD技术与CVD技术的一次完美融合；
Ø可实现TAC-DLC的组合，获得TAC更高基础硬度与结合力的兼有DLC的沉积速率及细腻外观；
Ø比单纯CVD的结合力大幅度提升，降低了PVD的颗粒度，缩短工艺时间；
Ø可实现多种工艺C膜沉积，纯离子镀TAC，磁约束放电DLC，阳极层离子源镀DLC等。
设备基本性能参数 | |||
参数 | PE213 | PE422 | PE624 |
镀膜源类型 | 阳极层线性离子源、磁控溅射源、纯离子镀膜源 | ||
极限真空/漏率 | 5×10-4Pa / <10-11Pa•m3/s | ||
抽气速率 | < 30分钟(真空度3x10-3 Pa，空载) | ||
真空室尺寸 | Φ800*H675 | Φ1000*H1000 | Φ1400*H1100 |
均匀性 | ±5% | ||
可选配套电源 | 直流、脉冲直流、中频、射频、高功率脉冲等 | ||
工艺气体 | Ar ，C2H2，N2、O2等 | ||
靶材匹配 | 石墨靶、Cr、Ti、Ni、Cu、Ta、Zr、W等金属单质或合金靶 | ||
真空系统 | 机械泵+罗茨泵+分子泵 | ||
控制方式 | PLC+上位机 | ||
设备功率 | 30KW | 40KW | 60KW |
配套要求 | 循环水压力：0.3-0.4MPa，压缩空气：0.5-0.75MPa | ||