RIE应用领域和范围
Ø可刻蚀材料：金属，非金属，合金，半导体（单晶硅、多晶硅、SOI），金属氧化物，氮化物，碳化物，陶瓷，聚合物，超导材料等；
Ø可褪碳基薄膜，可作为DLC/Ta-C薄膜的褪膜机使用；
Ø可应用在：半导体，光学，科研等领域。
RIE系列设备参数 | |||
应用技术 | 反应离子刻蚀（ReactiveIon Etching） | 镀膜源类型 | 阳极层离子源（线性、圆形） 射频耦合离子源（圆形） |
刻蚀速率 | 根据材料而定（可达30nm/min） | 抽气时间 | <10分钟(真空度5x10-3 ) |
工作电压/频率 | 380V/50Hz | 实际功率 | 10KW |
极限压力 | 5.0*10-4Pa | 漏率 | <10-11Pa•m3/s |
基片转盘 | 自转 | 真空室结构 | 平开式、翻盖式 |
电源类型 | 离子束清洗电源、脉冲偏压电源 | 真空系统 | 分子泵、旋片泵 |
生产周期 | 10-30min /炉 | 外围尺寸 | 可按客户需求定制 |
产量/炉 | 依客户工件尺寸定量 | 配套条件 | 循环水压力：0.2-0.3MPa |
冷却纯水水量：不低于4m3/h | |||
压缩空气：0.5-0.75MPa | |||
控制方式 | PLC+上位机 | 工艺气体 | Ne、Ar、Kr、O2 |
