非平衡磁控溅射镀膜源
其特征是：通过对磁场的设计将靶面的等离子体延伸到靶面前200-400mm的范围，等离子体以一定能量轰击基板，辅助薄膜的沉积，大大提高了膜层的质量。
在非平衡磁控溅射工艺中：磁场分布是决定入射粒子能量的主要因素。电子在电场和磁场的交互作用下，在飞向阴极过程中与氩原子发生碰撞，电离产生出Ar离子，Ar离子被电场加速后，以高能量轰击靶表面，使阴极靶材发生溅射并沉积在基片表面的过程。磁控溅射是物理气相沉积（PhysicalVapor Deposition，PVD）的一种，可以制备金属、半导体、绝缘体等膜层。
安徽纯源镀膜科技有限公司在溅射技术的基础上采用磁场设计和工艺气体进气方式，研制成了一种非平衡磁控溅射镀膜源，非平衡磁控溅射在成膜过程中有适当能量离子流轰击基片表面而使膜层更加致密，从而改善了薄膜的性能，有效提高了膜层均匀性和粘附性。
主要特点
1、膜层种类：金属膜；合金膜；半导体膜；绝缘膜层。
2、 膜层性能纯离子镀膜技术的两大创新和成熟的工艺相结合，使得膜层具备如下性能：粘附性好；大面积镀膜、均匀性好适用于一定复杂形状曲面的镀膜等；
3、工艺稳定、重复性好；高纯度、无颗粒适用于光学膜层可以在导体、半导体和绝缘体基底上沉积；可以和纯离子镀膜,化学气相沉积和离子束清洗等工艺配合等。
4、 应用领域磁控溅射技术备制的膜层厚度通常在5nm-20μm之间，可以广泛应用在：3C消费电子、半导体、光学、家电、新能源、航空、科研等行业。
注明：以上数据来源于安徽纯源镀膜科技有限公司-先进材料实验室-检测结果