一、应用领域
设计用于中温CVD工艺。如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。
二、优越性能
2.1 性能稳定、可靠，十几年的客户使用验证
2.2 保温效果好，节能效果好
2.3 配置高端，温控表及关键元件采用进口元件
2.4 整机一体化设计，操作简单，免维护
三、技术指标
设备型号： KCVD(D)-250/750/3
Zui高温度： 1050℃
工作温度： RT～1000℃
加热区长度： 750mm
炉管实际尺寸： Φ250（外径）×1750mm （高纯气炼石英管）
炉膛材料： 氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品
控制温区个数： 3个，K分度热偶
控温精度： ±1℃，单回路智能40段程序仪表控制，PID参数自整定
整个升温过程中温度过冲不超过±5度
加热元件： FEC陶瓷纤维加热器，瑞典进口Kanthal发热丝
Zui大加热功率： 18Kw
空炉保温功率： 约7Kw
升温速率：≤75min（900℃）
气氛系统：3炉气体（氮气、氧气、氩气）浮子流量计控制
输入动力电源： 三相电源，50HZ ，380V±10%；20KVA
炉体表面温升： ≤35℃。
外形尺寸：约1750*1200*830（L*H*W）
