第三方外延片检测公司，外延片表面粗糙度检测

外延片是一种在单晶衬底表面通过外延生长技术形成的半导体材料，由衬底与外延层两部分构成。其外延层通过化学气相沉积、分子束外延等工艺，在衬底上逐层沉积出具有特定晶体结构、成分和掺杂浓度的单晶薄膜。该材料可jingque控制外延层厚度、掺杂类型及组分，实现不同材料的异质集成，突破单一材料性能限制。

我们的优势：

【技术人才】：拥有超过700名人员，其中技术团队90%以上毕业于国家“985”“211”等重点高校，具有硕士、博士学位。

【仪器设备】：500余台（套）仪器设备，包括红外光谱（IR）、核磁共振（NMR）、电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP）、电感耦合等离子体发射质谱仪（ICP-MS）、液相二级质谱（LC-MS-MS）、气相色谱-质谱联用仪（GC-MS）、高效液相色谱（HPLC）、气相色谱仪（GC）、X射线荧光光谱(XRF)等。

【资质认可】：获得中国合格评定国家认可委员会颁发的实验室认可证书（CNAS）、质量技术监督局颁发的检验检测机构资质认定证书（CMA）。

【服务客户】：累计为公检法单位、高校及科研机构、企业等超过10万家客户提供咨询、分析、检测、测试、鉴定研发等技术服务。

外延片检测范围有：

半导体芯片用外延片、LED 外延片、功率器件用外延片、射频器件用外延片、硅基外延片、砷化镓外延片、氮化镓外延片、磷化铟外延片等。

外延片检测项目有：

电阻率、掺杂浓度、载流子迁移率、晶格完整性、表面粗糙度、缺陷密度、外延层均匀性、表面平整度、红外透过率、少子寿命、界面态密度、厚度均匀性、光学反射率、表面洁净度等。

外延片检测周期：

到样后5-7个工作日，可以进行加急，根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。

外延片部分检测标准：

1、GB/T 30767-2014 硅外延片表面质量的检验方法

2、GB/T 30768-2014 硅外延片厚度的测试方法 红外干涉法

3、SJ/T 11492-2015 氮化镓基外延片测试方法

4、GB/T 44334-2024 埋层硅外延片

5、GB/T 43885-2024 碳化硅外延片

6、GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

7、GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

外延片检测流程：

1、和客服沟通需求，安排工程师进行对接

2、根据情况进行寄样，支持上门取样

3、对样品进行初步分析，很具客户需求，进行样品检测

4、进行实验检测，得出实验数据，出具检测报告

复达检测的咨询，我们会有人员为您一对一进行解答，服务面向全国各地。